창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MJD112T4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJD11x | |
| 기타 관련 문서 | MJD112 View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1541 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 20µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 25MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-2462-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJD112T4 | |
| 관련 링크 | MJD1, MJD112T4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | L-05B18NJV6T | 18nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 1.5 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | L-05B18NJV6T.pdf | |
![]() | MCS04020C9313FE000 | RES SMD 931K OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C9313FE000.pdf | |
![]() | CX23880 | CX23880 CONEXANT N A | CX23880.pdf | |
![]() | XA3S1000-4FGG456Q0942 | XA3S1000-4FGG456Q0942 XILINX BGAQFP | XA3S1000-4FGG456Q0942.pdf | |
![]() | MAX3316EAE | MAX3316EAE MAX SOP | MAX3316EAE.pdf | |
![]() | 2SC5149 | 2SC5149 TOSHIBA TO3P | 2SC5149.pdf | |
![]() | CM800E4C-66H | CM800E4C-66H MIT SMD or Through Hole | CM800E4C-66H.pdf | |
![]() | t7c13es-0112 | t7c13es-0112 TOSHIBA SMD or Through Hole | t7c13es-0112.pdf | |
![]() | 10RX503300M16X35.5 | 10RX503300M16X35.5 Rubycon DIP-2 | 10RX503300M16X35.5.pdf | |
![]() | F0112 | F0112 SIPEX SOP-8 | F0112.pdf | |
![]() | LH532100B | LH532100B TOSHIBA DIP | LH532100B.pdf | |
![]() | SR52-SR56 | SR52-SR56 ORIGINAL TR | SR52-SR56.pdf |