홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » MJD112G

ON Semiconductor MJD112G

MJD112G
제조업체 부품 번호
MJD112G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
MJD112G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 294.26400
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MJD112G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MJD112G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MJD112G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MJD112G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MJD112G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MJD112G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MJD112,117
PCN 조립/원산지Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
카탈로그 페이지 1556 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
전류 - 콜렉터 차단(최대)20µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
전력 - 최대1.75W
주파수 - 트랜지션25MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 75
다른 이름MJD112G-ND
MJD112GOS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MJD112G
관련 링크MJD1, MJD112G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MJD112G 의 관련 제품
4700pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) C2012X7R2A472M085AE.pdf
RES SMD 10.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 RT0603BRD0710R2L.pdf
RES SMD 3.16K OHM 0.1% 0.4W 2010 TNPW20103K16BEEY.pdf
S29WS512P0SBFW000 Spansion SMD or Through Hole S29WS512P0SBFW000.pdf
B66311-G170-X187 Epcos SMD or Through Hole B66311-G170-X187.pdf
BZV55C3V6/115 PHILIPS LL34 BZV55C3V6/115.pdf
46N60 ORIGINAL SMD or Through Hole 46N60.pdf
LXV10VB392M12X40LL NIPPON DIP LXV10VB392M12X40LL.pdf
4-100103-0 TEConnectivity SMD or Through Hole 4-100103-0.pdf
C2389E ORIGINAL TO-92S C2389E.pdf
PRC202500/221M CMD SOP-20P PRC202500/221M.pdf
MAX2326EUPLP MAXIM SMD MAX2326EUPLP.pdf