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ON Semiconductor MJD112-1G

MJD112-1G
제조업체 부품 번호
MJD112-1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
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내부 부품 번호EIS-MJD112-1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MJD112,117
카탈로그 페이지 1556 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
전류 - 콜렉터 차단(최대)20µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
전력 - 최대1.75W
주파수 - 트랜지션25MHz
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지I-Pak
표준 포장 75
다른 이름MJD112-1GOS
MJD1121G
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MJD112-1G
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