창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MJB45H11G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJB(44,45)H11 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Site 20/Jun/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 10A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 40MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | MJB45H11G-ND MJB45H11GOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MJB45H11G | |
| 관련 링크 | MJB45, MJB45H11G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | RG2012N-1271-W-T1 | RES SMD 1.27KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-1271-W-T1.pdf | |
![]() | OL4315E-R52 | RES 430 OHM 1/2W 5% AXIAL | OL4315E-R52.pdf | |
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![]() | HPMT-1PB L18546 | HPMT-1PB L18546 HIGH SMD or Through Hole | HPMT-1PB L18546.pdf | |
![]() | TS862C06R | TS862C06R ORIGINAL SMD or Through Hole | TS862C06R.pdf | |
![]() | MT47H32M16GC-5E:B | MT47H32M16GC-5E:B MICRON FBGA84 | MT47H32M16GC-5E:B.pdf | |
![]() | TC660ENG | TC660ENG TELOM DIP-8 | TC660ENG.pdf | |
![]() | TFA1060B | TFA1060B TFA CDIP16 | TFA1060B.pdf | |
![]() | CMW72NS46P | CMW72NS46P CASIO SMD or Through Hole | CMW72NS46P.pdf | |
![]() | RC2012J270ES | RC2012J270ES ORIGINAL SMD or Through Hole | RC2012J270ES.pdf | |
![]() | FTMH10602FDVESA | FTMH10602FDVESA SAN CONN | FTMH10602FDVESA.pdf |