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ON Semiconductor MJ11012G

MJ11012G
제조업체 부품 번호
MJ11012G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
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내부 부품 번호EIS-MJ11012G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MJ11012,15,16
카탈로그 페이지 1554 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장트레이
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)30A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)60V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic4V @ 300mA, 30A
전류 - 콜렉터 차단(최대)1mA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce1000 @ 20A, 5V
전력 - 최대200W
주파수 - 트랜지션4MHz
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-204AA, TO-3
공급 장치 패키지TO-3
표준 포장 100
다른 이름MJ11012G-ND
MJ11012GOS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MJ11012G
관련 링크MJ11, MJ11012G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
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