창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MIO600-65E11 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MIO 600-65E11 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | NPT | |
구성 | 단일 스위치 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 6500V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 600A | |
전력 - 최대 | - | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 4.2V @ 15V, 600A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 120mA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 150nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | E11 | |
공급 장치 패키지 | E11 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MIO600-65E11 | |
관련 링크 | MIO600-, MIO600-65E11 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
ILSB0805ERR47K | 470nH Shielded Multilayer Inductor 200mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | ILSB0805ERR47K.pdf | ||
FRN50J2K2/S | RES 2.2K OHM 1/2W 5% AXIAL | FRN50J2K2/S.pdf | ||
CMF60215K00FHRE | RES 215K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60215K00FHRE.pdf | ||
SD823C25S30C | SD823C25S30C IR B-43 (E-Puk) | SD823C25S30C.pdf | ||
XC145576PB | XC145576PB MOT SMD or Through Hole | XC145576PB.pdf | ||
MS1423P-35 | MS1423P-35 RICHTEK PDIP20 | MS1423P-35.pdf | ||
IRF8707G | IRF8707G IOR SOP8 | IRF8707G.pdf | ||
CD74HC123E-TI | CD74HC123E-TI ORIGINAL SMD or Through Hole | CD74HC123E-TI.pdf | ||
16-213/T3D-AP1Q2QY/3T(TQS) | 16-213/T3D-AP1Q2QY/3T(TQS) EVERLIGHTELECTRON SMD or Through Hole | 16-213/T3D-AP1Q2QY/3T(TQS).pdf | ||
DFX1880J1960F | DFX1880J1960F SAMSUNG SMD or Through Hole | DFX1880J1960F.pdf | ||
R5S77571R000BGU0 | R5S77571R000BGU0 RENESAS SMD or Through Hole | R5S77571R000BGU0.pdf | ||
THS1060CPHP | THS1060CPHP TI ORIGINAL | THS1060CPHP.pdf |