창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MIN02-002CC090A-TF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MCM,MIN Type | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 운모 및 PTFE 커패시터 | |
제조업체 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | |
계열 | MIN02 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 9pF | |
허용 오차 | ±1pF | |
전압 - 정격 | 300V | |
유전체 소재 | 운모 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 비표준 SMD | |
리드 간격 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 200°C | |
특징 | RF, 고주파 | |
크기/치수 | 0.218" L x 0.400" W(5.54mm x 10.16mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MIN02-002CC090A-TF | |
관련 링크 | MIN02-002C, MIN02-002CC090A-TF 데이터 시트, Cornell Dubilier Electronics (CDE) 에이전트 유통 |
RCH8011NP-820L | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 1.55A 190 mOhm Max Radial | RCH8011NP-820L.pdf | ||
ADC85S-12B | ADC85S-12B AD DIP | ADC85S-12B.pdf | ||
100UF 200V 16X32 | 100UF 200V 16X32 ORIGINAL SMD or Through Hole | 100UF 200V 16X32.pdf | ||
600S1R1BTDRNP | 600S1R1BTDRNP ATC 4k reel | 600S1R1BTDRNP.pdf | ||
FMC13N60E | FMC13N60E FUJI T-pack(S)TO-263 | FMC13N60E.pdf | ||
MSVB21C226M | MSVB21C226M NEC SMD or Through Hole | MSVB21C226M.pdf | ||
ICS487G-25LF | ICS487G-25LF IDT SMD or Through Hole | ICS487G-25LF.pdf | ||
AM4GD319X | AM4GD319X ALPHA DICE | AM4GD319X.pdf | ||
7650CPAZ(DIP-8)ICL7650SCBA(SO-8) | 7650CPAZ(DIP-8)ICL7650SCBA(SO-8) intersil DIP8(SO8) | 7650CPAZ(DIP-8)ICL7650SCBA(SO-8).pdf | ||
AT640 AT640-1 | AT640 AT640-1 SIRF SMD or Through Hole | AT640 AT640-1.pdf | ||
BC313141A18-IRF-E4 | BC313141A18-IRF-E4 CSR BGA | BC313141A18-IRF-E4.pdf | ||
IVT5315BE-15.75MHZ | IVT5315BE-15.75MHZ RAKON ORIGINAL | IVT5315BE-15.75MHZ.pdf |