창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ME2100B30M3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ME2100B30M3G | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT-23 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ME2100B30M3G | |
| 관련 링크 | ME2100B, ME2100B30M3G 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | BFC238061392 | 3900pF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC238061392.pdf | |
![]() | VS-12CTQ035STRRPBF | DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V D2PAK | VS-12CTQ035STRRPBF.pdf | |
| DRA124-151-R | 150µH Shielded Wirewound Inductor 967mA 454 mOhm Nonstandard | DRA124-151-R.pdf | ||
![]() | 95144XLTQ100 | 95144XLTQ100 BROADCOM BGA | 95144XLTQ100.pdf | |
![]() | SST25VF010A33-4C-QAE | SST25VF010A33-4C-QAE ORIGINAL SMD or Through Hole | SST25VF010A33-4C-QAE.pdf | |
![]() | S15CH8B0 | S15CH8B0 IR TO-209AC(TO-94) | S15CH8B0.pdf | |
![]() | IRF9Z40 | IRF9Z40 IR TO-220 | IRF9Z40.pdf | |
![]() | RF-PER21AM-600 | RF-PER21AM-600 JAPAN MODULE | RF-PER21AM-600.pdf | |
![]() | MAX3222EEUP-T | MAX3222EEUP-T MAX SMD | MAX3222EEUP-T.pdf | |
![]() | 74LVC00APW/G | 74LVC00APW/G NXP SMD or Through Hole | 74LVC00APW/G.pdf | |
![]() | 1206 NPO 470 J 250NT | 1206 NPO 470 J 250NT TASUND SMD or Through Hole | 1206 NPO 470 J 250NT.pdf | |
![]() | SI3812DV-T1 | SI3812DV-T1 Vishay SOT23-6 | SI3812DV-T1.pdf |