창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-MDT10P55B1S/B2S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | MDT10P55B1S/B2S | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SOP-14 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | MDT10P55B1S/B2S | |
관련 링크 | MDT10P55B, MDT10P55B1S/B2S 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | C1808X332JBGACTU | 3300pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.185" L x 0.079" W(4.70mm x 2.00mm) | C1808X332JBGACTU.pdf | |
DEHR33D272KA3B | 2700pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 R 방사형, 디스크 0.669" Dia(17.00mm) | DEHR33D272KA3B.pdf | ||
![]() | VJ2225A332KBAAT4X | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A332KBAAT4X.pdf | |
![]() | 7V-32.000MAHJ-T | 32MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-32.000MAHJ-T.pdf | |
![]() | 550172T250AF2B | 550172T250AF2B CDE DIP | 550172T250AF2B.pdf | |
![]() | OKS3A-S12-24V | OKS3A-S12-24V OEG SMD or Through Hole | OKS3A-S12-24V.pdf | |
![]() | 3J-5J1.3R300 | 3J-5J1.3R300 SANKOSHA SMD or Through Hole | 3J-5J1.3R300.pdf | |
![]() | IRBE30 | IRBE30 IR TO-220 | IRBE30.pdf | |
![]() | bd213-75 | bd213-75 AEG SMD or Through Hole | bd213-75.pdf | |
![]() | PC319C. | PC319C. NEC DIP16 | PC319C..pdf | |
![]() | 12064799 | 12064799 POWERSIGNALGROUP SMD or Through Hole | 12064799.pdf | |
![]() | JPC02501V | JPC02501V ORIGINAL SMD or Through Hole | JPC02501V.pdf |