창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MCR50JZHJ6R8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MCR Series | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2224 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | MCR | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 6.8 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 0.5W, 1/2W | |
구성 | 후막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±500ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 2010(5025 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 2010 | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.028"(0.70mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | RHM6.8BGTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MCR50JZHJ6R8 | |
관련 링크 | MCR50JZ, MCR50JZHJ6R8 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
BZX384B3V6-E3-18 | DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD323 | BZX384B3V6-E3-18.pdf | ||
RSMF12JB13K0 | RES MO 1/2W 13K OHM 5% AXIAL | RSMF12JB13K0.pdf | ||
GTSD32-2R2M | GTSD32-2R2M ORIGINAL NA | GTSD32-2R2M.pdf | ||
C250612 | C250612 PHILIPS TSSOP-32 | C250612.pdf | ||
STD110NH02 | STD110NH02 ST TO252 | STD110NH02.pdf | ||
PSB50702EV1.3-G | PSB50702EV1.3-G INFINEON BGA | PSB50702EV1.3-G.pdf | ||
DAC-02310-112 | DAC-02310-112 DATEL DIP | DAC-02310-112.pdf | ||
AC522 | AC522 AI SOP-8 | AC522.pdf | ||
YW80C188EC25 | YW80C188EC25 Intel SMD or Through Hole | YW80C188EC25.pdf | ||
RD22ES-T1B | RD22ES-T1B NEC DO-34 | RD22ES-T1B.pdf | ||
HSD101PFW3-B00 | HSD101PFW3-B00 ORIGINAL SMD or Through Hole | HSD101PFW3-B00.pdf | ||
13C1000PA6L | 13C1000PA6L Honeywell Onlyoriginal | 13C1000PA6L.pdf |