창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MCR18EZPF1691 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MCR Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | MCR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 1.69k | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.25W, 1/4W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1206 | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.026"(0.65mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | Q5991490CC | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MCR18EZPF1691 | |
| 관련 링크 | MCR18EZ, MCR18EZPF1691 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
| SIA436DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L | SIA436DJ-T1-GE3.pdf | ||
![]() | ICS853S111BYILF | ICS853S111BYILF IDT NA | ICS853S111BYILF.pdf | |
![]() | 157-103-43012-tp | 157-103-43012-tp ORIGINAL 1206-10K | 157-103-43012-tp.pdf | |
![]() | XCV800-7BG680C | XCV800-7BG680C XILINX BGA | XCV800-7BG680C.pdf | |
![]() | 26-7502-175-SC | 26-7502-175-SC JDSU SMD or Through Hole | 26-7502-175-SC.pdf | |
![]() | DAS1256IDBT | DAS1256IDBT BB SMD or Through Hole | DAS1256IDBT.pdf | |
![]() | 2SC5O27 | 2SC5O27 FAIRCHILD T0-220 | 2SC5O27.pdf | |
![]() | G3VM-W | G3VM-W OMRON DIP | G3VM-W.pdf | |
![]() | XC2600E-5FGG456I | XC2600E-5FGG456I ORIGINAL SMD or Through Hole | XC2600E-5FGG456I.pdf | |
![]() | PS21562-N | PS21562-N MITSUBISHI SMD or Through Hole | PS21562-N.pdf | |
![]() | 2SJ636-TL | 2SJ636-TL SANYO SOT-252 | 2SJ636-TL.pdf |