창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MCH6337-TL-H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MCH6337 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 12/Feb/2014 Frabrication Site Change 27/Aug/2014 Wafer Fabrication Site Addition 08/Nov/2014 | |
| PCN 기타 | Multiple Updates 11/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 49m옴 @ 3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 6-MCPH | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MCH6337-TL-H | |
| 관련 링크 | MCH6337, MCH6337-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | IHSM5832ER150L | 15µH Unshielded Inductor 3.5A 78 mOhm Max Nonstandard | IHSM5832ER150L.pdf | |
|  | CFR-50JB-52-12R | RES 12 OHM 1/2W 5% AXIAL | CFR-50JB-52-12R.pdf | |
|  | 964561-1 | 964561-1 AMP ORIGINAL | 964561-1.pdf | |
|  | MB4620 | MB4620 FUJ CDIP | MB4620.pdf | |
|  | 24C02I/P | 24C02I/P MICROCHIP DIP-8 | 24C02I/P.pdf | |
|  | H1116NLT | H1116NLT PULSE SOP40 | H1116NLT.pdf | |
|  | IP120K-5.0/883 | IP120K-5.0/883 IPS TO-3 | IP120K-5.0/883.pdf | |
|  | TA8576AFN-EL | TA8576AFN-EL TOSHIBA TSSOP20 | TA8576AFN-EL.pdf | |
|  | G4802SG | G4802SG N/A SOP48 | G4802SG.pdf | |
|  | A551-820E | A551-820E CLA PLCC | A551-820E.pdf | |
|  | KX510FA/6206-3.0V | KX510FA/6206-3.0V FASTSTAR SOT23-3L | KX510FA/6206-3.0V.pdf | |
|  | SF0229S1P-065-142 | SF0229S1P-065-142 ORIGINAL SMD or Through Hole | SF0229S1P-065-142.pdf |