창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MCH6337-TL-H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MCH6337 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 12/Feb/2014 Frabrication Site Change 27/Aug/2014 Wafer Fabrication Site Addition 08/Nov/2014 | |
PCN 기타 | Multiple Updates 11/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 49m옴 @ 3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 6-MCPH | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MCH6337-TL-H | |
관련 링크 | MCH6337, MCH6337-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CC1206ZRY5V8BB474 | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206ZRY5V8BB474.pdf | |
CZB06S04020050LEA | RF Attenuator 2dB ±0.3dB 0Hz ~ 3GHz 50 Ohm 0.075W 4-SMD, No Lead | CZB06S04020050LEA.pdf | ||
![]() | RT1N14HC | RT1N14HC ORIGINAL SOT-23 | RT1N14HC.pdf | |
![]() | RXH100N03 | RXH100N03 ROHM SOP-8 | RXH100N03.pdf | |
![]() | CL-170G | CL-170G CITIZEN ROHS | CL-170G.pdf | |
![]() | 2SC4228/R44 R45 | 2SC4228/R44 R45 NEC S0T-323 | 2SC4228/R44 R45.pdf | |
![]() | 477M10EPM0023 | 477M10EPM0023 AVX SMD or Through Hole | 477M10EPM0023.pdf | |
![]() | 25200 | 25200 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25200.pdf | |
![]() | PMBT201 | PMBT201 FAIRCHILD SOT-23 | PMBT201.pdf | |
![]() | MLV0402ES005V00R2P | MLV0402ES005V00R2P AEM SMD | MLV0402ES005V00R2P.pdf |