창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MCH3479-TL-H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MCH3479 | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire Update 02/Dec/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Frabrication Site Change 27/Aug/2014 Wafer Fab Transfer 04/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 260pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | SC-70FL/MCPH3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MCH3479-TL-H | |
관련 링크 | MCH3479, MCH3479-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
ASTMHTFL-13.000MHZ-XR-E-T | 13MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-13.000MHZ-XR-E-T.pdf | ||
SIT8008ACF3-25E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008ACF3-25E.pdf | ||
TNPW06033K48BEEA | RES SMD 3.48KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06033K48BEEA.pdf | ||
R7202812 | R7202812 PRX MODULE | R7202812.pdf | ||
LT461CI5 | LT461CI5 LT SOP8 | LT461CI5.pdf | ||
5091HZC95 | 5091HZC95 PHI SQFP100 | 5091HZC95.pdf | ||
CMF-RD50 | CMF-RD50 BOURNS SMD or Through Hole | CMF-RD50.pdf | ||
HPMX-2004 | HPMX-2004 HP/AGILENT SMD or Through Hole | HPMX-2004.pdf | ||
HM1W43ZPR919H6 | HM1W43ZPR919H6 FCI con | HM1W43ZPR919H6.pdf | ||
MB39A128APFT-G-BND-E | MB39A128APFT-G-BND-E FUJI TSSOP | MB39A128APFT-G-BND-E.pdf | ||
KM616FV8000TI-5 | KM616FV8000TI-5 SAMSUNG SMD or Through Hole | KM616FV8000TI-5.pdf | ||
592D226X0004C2T | 592D226X0004C2T VISHAY/SPRAGUE SMD | 592D226X0004C2T.pdf |