홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » MCH3476-TL-W

ON Semiconductor MCH3476-TL-W

MCH3476-TL-W
제조업체 부품 번호
MCH3476-TL-W
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3
데이터 시트 다운로드
다운로드
MCH3476-TL-W 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 143.62917
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 MCH3476-TL-W 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. MCH3476-TL-W 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. MCH3476-TL-W가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
MCH3476-TL-W 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MCH3476-TL-W 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MCH3476-TL-W
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MCH3476
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.8V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs125m옴 @ 1A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.3V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs1.8nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds128pF @ 10V
전력 - 최대800mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-SMD, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지SC-70FL/MCPH3
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)MCH3476-TL-W
관련 링크MCH3476, MCH3476-TL-W 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
MCH3476-TL-W 의 관련 제품
SIDAC SYM 3CHP 150V 400A TO220 P1803ACLRP.pdf
RES SMD 215K OHM 0.1% 1/8W 0805 AT0805BRD07215KL.pdf
CCD Image Sensor 1024H x 1024V 5.5µm x 5.5µm 67-CPGA (33.02x20.07) KAI-01050-ABA-JD-BA.pdf
550271T350AA2B CDE DIP 550271T350AA2B.pdf
BYW81PI200 ORIGINAL SMD or Through Hole BYW81PI200.pdf
SN98252W ORIGINAL SMD or Through Hole SN98252W.pdf
XCV300FG256AFP XILINX BGA XCV300FG256AFP.pdf
8054 10MHZ NDK SMD or Through Hole 8054 10MHZ.pdf
RH5R1304B-T1 RICOH SOT89 RH5R1304B-T1.pdf
TC4SU11FU TOSHIBA SOT-353 TC4SU11FU.pdf
42TVA0100P06 EMC SMD or Through Hole 42TVA0100P06.pdf
WGBC MOT MSOP8 WGBC.pdf