창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MCH3383-TL-H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MCH3383 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire Update 26/Dec/2014 Raw Material Change 22/Jul/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Frabrication Site Change 27/Aug/2014 Wafer Fab Site Transfer 26/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 0.9V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 69m옴 @ 1.5A, 2.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.2nC(2.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1010pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -5°C ~ 150°C(TA) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SC-70FL/MCPH3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MCH3383-TL-H-ND MCH3383-TL-HOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MCH3383-TL-H | |
| 관련 링크 | MCH3383, MCH3383-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D220MLXAC | 22pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D220MLXAC.pdf | |
![]() | 1812-105G | 1mH Unshielded Inductor 55mA 60 Ohm Max 2-SMD | 1812-105G.pdf | |
![]() | RT0603DRD073K74L | RES SMD 3.74KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD073K74L.pdf | |
![]() | RT2010FKE0721KL | RES SMD 21K OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE0721KL.pdf | |
![]() | Y162721R0000F9R | RES SMD 21 OHM 1% 1/2W 2010 | Y162721R0000F9R.pdf | |
![]() | DESI20-08A | DESI20-08A IXYS TO-220 | DESI20-08A.pdf | |
![]() | LM2630M | LM2630M NSC SOP8 | LM2630M.pdf | |
![]() | ISL | ISL TI TSSOP28 | ISL.pdf | |
![]() | DCPM5S5-1W | DCPM5S5-1W BBT SIP4 | DCPM5S5-1W.pdf | |
![]() | HT-P366USDY | HT-P366USDY HARVATEK ROHS | HT-P366USDY.pdf | |
![]() | LA1145M-F2-TE-R | LA1145M-F2-TE-R SANYO SOP | LA1145M-F2-TE-R.pdf |