창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MCH3377-TL-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MCH3377 | |
| PCN 설계/사양 | Raw Material Change 22/Jul/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Addition 08/Nov/2014 | |
| PCN 기타 | Multiple Updates 11/Nov/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1531 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 83m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 375pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 3-MCPH | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 869-1169-1 MCH3377TLE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MCH3377-TL-E | |
| 관련 링크 | MCH3377, MCH3377-TL-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | P5106UALRP | SIDACTOR SYM 420V 150A MS013 | P5106UALRP.pdf | |
![]() | RG1608N-2051-W-T5 | RES SMD 2.05K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-2051-W-T5.pdf | |
![]() | H468K1BCA | RES 68.1K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H468K1BCA.pdf | |
![]() | LT1021DCS8-5.. | LT1021DCS8-5.. LT SMD or Through Hole | LT1021DCS8-5...pdf | |
![]() | AM306223R1DBGEVB | AM306223R1DBGEVB ONS Onlyoriginal | AM306223R1DBGEVB.pdf | |
![]() | PVZ3A333A01R00 | PVZ3A333A01R00 ORIGINAL SMD or Through Hole | PVZ3A333A01R00.pdf | |
![]() | HSMS-8205-TR | HSMS-8205-TR ORIGINAL SMD or Through Hole | HSMS-8205-TR.pdf | |
![]() | 28.633MHZ | 28.633MHZ ORIGINAL 5X7 | 28.633MHZ.pdf | |
![]() | MCP6001UT-E TEL:82766440 | MCP6001UT-E TEL:82766440 MICROCHI SOT153 | MCP6001UT-E TEL:82766440.pdf | |
![]() | LM250HVK | LM250HVK NSC TO-3 | LM250HVK.pdf |