창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MCD220/16I01B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MCD220/16I01B | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MCD220/16I01B | |
| 관련 링크 | MCD220/, MCD220/16I01B 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 755MHBS45K2H | 7.5µF Film Capacitor 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.260" L x 0.709" W (32.00mm x 18.00mm) | 755MHBS45K2H.pdf | |
![]() | 2510R-68K | 68µH Unshielded Inductor 58mA 13.8 Ohm Max 2-SMD | 2510R-68K.pdf | |
![]() | RT0603BRB0734R8L | RES SMD 34.8 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB0734R8L.pdf | |
![]() | CRCW06039R53FNEA | RES SMD 9.53 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06039R53FNEA.pdf | |
![]() | 3435GRYPHOW3S B | 3435GRYPHOW3S B ESILICON QFP100 | 3435GRYPHOW3S B.pdf | |
![]() | 61238LK2CB455:B | 61238LK2CB455:B EVL SMD or Through Hole | 61238LK2CB455:B.pdf | |
![]() | M542527P | M542527P SAMSUNG DIP | M542527P.pdf | |
![]() | IRF358 | IRF358 IOR SOP8 | IRF358.pdf | |
![]() | TD38-1505A | TD38-1505A HALO SMD or Through Hole | TD38-1505A.pdf | |
![]() | TXB0101DCKRE4 | TXB0101DCKRE4 TI- TI | TXB0101DCKRE4.pdf | |
![]() | RU2V-NF-D24V | RU2V-NF-D24V ORIGINAL SMD or Through Hole | RU2V-NF-D24V.pdf |