창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MC18FD271F-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MC,MCN Type Mica Chip Cap SMD | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 운모 및 PTFE 커패시터 | |
제조업체 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | |
계열 | MC | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 270pF | |
허용 오차 | ±1% | |
전압 - 정격 | 500V | |
유전체 소재 | 운모 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 1812(4532 미터법) | |
리드 간격 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
특징 | RF, 높은 Q값, 저손실 | |
크기/치수 | 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.079"(2.00mm) | |
표준 포장 | 100 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MC18FD271F-F | |
관련 링크 | MC18FD2, MC18FD271F-F 데이터 시트, Cornell Dubilier Electronics (CDE) 에이전트 유통 |
![]() | APTGF50DH60T1G | IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 | APTGF50DH60T1G.pdf | |
![]() | SP1812R-153G | 15µH Shielded Inductor 640mA 490 mOhm Max Nonstandard | SP1812R-153G.pdf | |
![]() | KDS5J32768KHZ | KDS5J32768KHZ KDS SMD or Through Hole | KDS5J32768KHZ.pdf | |
![]() | VJ1210Y474MXBMT | VJ1210Y474MXBMT VISHAY SMD | VJ1210Y474MXBMT.pdf | |
![]() | PTVS58VP1UP,115 | PTVS58VP1UP,115 NXP SOD128 | PTVS58VP1UP,115.pdf | |
![]() | TV007C7123AJGD | TV007C7123AJGD TOSHIBA BGA | TV007C7123AJGD.pdf | |
![]() | P0770-103T | P0770-103T PULSE SMD or Through Hole | P0770-103T.pdf | |
![]() | L2B1961/200/00004-01 | L2B1961/200/00004-01 RHAPSODY BGA | L2B1961/200/00004-01.pdf | |
![]() | H1US1 | H1US1 ORIGINAL 3 SOT-23 | H1US1.pdf | |
![]() | CAT5251WI50 | CAT5251WI50 CAT Call | CAT5251WI50.pdf | |
![]() | KB926QF 03 | KB926QF 03 ENE QFP | KB926QF 03.pdf |