창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBT6429DW1T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBT6429DW1T1 | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 45V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 500 @ 100µA, 5V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
주파수 - 트랜지션 | 700MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MBT6429DW1T1G-ND MBT6429DW1T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBT6429DW1T1G | |
관련 링크 | MBT6429, MBT6429DW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MKP385312160JFM2B0 | 0.012µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | MKP385312160JFM2B0.pdf | |
![]() | CB3LV-3I-32M4864 | 32.4864MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 40mA Enable/Disable | CB3LV-3I-32M4864.pdf | |
![]() | MCT06030D2261BP100 | RES SMD 2.26KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D2261BP100.pdf | |
![]() | FD250A16 | FD250A16 MITSUBISHI Module | FD250A16.pdf | |
![]() | 0603-10PJ 50V | 0603-10PJ 50V SAMSUNG SMD or Through Hole | 0603-10PJ 50V.pdf | |
![]() | 2SC2814F4 | 2SC2814F4 SANYO SOT-23 | 2SC2814F4.pdf | |
![]() | SARA2 15ES | SARA2 15ES ST BGA | SARA2 15ES.pdf | |
![]() | LA7930 | LA7930 SANYO DIP | LA7930.pdf | |
![]() | 74386 | 74386 ORIGINAL DIP | 74386.pdf | |
![]() | LP3892ES-1.5-LF | LP3892ES-1.5-LF NS SMD or Through Hole | LP3892ES-1.5-LF.pdf | |
![]() | VA1T1EF2096 | VA1T1EF2096 SHARP Module | VA1T1EF2096.pdf | |
![]() | 82N | 82N ORIGINAL 2520 | 82N.pdf |