창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBT3946DW1T2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBT/SMBT3946DW1T1 | |
PCN 설계/사양 | EDS Rating Update Standardized Format 15/June/2007 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN, PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 40V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
주파수 - 트랜지션 | 300MHz, 250MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MBT3946DW1T2G-ND MBT3946DW1T2GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBT3946DW1T2G | |
관련 링크 | MBT3946, MBT3946DW1T2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
C0402C240K5GACTU | 24pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C240K5GACTU.pdf | ||
TLW3MB2 | Inductive Proximity Sensor 0.118" (3mm) IP67 Module | TLW3MB2.pdf | ||
802-10-002-10-002000 | 802-10-002-10-002000 MILL-MAX SMD or Through Hole | 802-10-002-10-002000.pdf | ||
TPM166/L3.9 | TPM166/L3.9 ORIGINAL SMD or Through Hole | TPM166/L3.9.pdf | ||
7A10N-680K-RB | 7A10N-680K-RB SAGAMI SMD or Through Hole | 7A10N-680K-RB.pdf | ||
2201C/AC | 2201C/AC TI SOP8 | 2201C/AC.pdf | ||
VT6105 L | VT6105 L VIA QFP | VT6105 L.pdf | ||
1DI30A-060 A50L-0001-0179/30A | 1DI30A-060 A50L-0001-0179/30A FUJI SMD or Through Hole | 1DI30A-060 A50L-0001-0179/30A.pdf | ||
M5M4V64S20ATP10 | M5M4V64S20ATP10 MITSUBISHI SMD or Through Hole | M5M4V64S20ATP10.pdf | ||
ICS87002AG-02 | ICS87002AG-02 IDT SMD or Through Hole | ICS87002AG-02.pdf | ||
PIC12F629/I/SN | PIC12F629/I/SN ORIGINAL IC | PIC12F629/I/SN.pdf | ||
SP6200EM5-L-2.5/TR. | SP6200EM5-L-2.5/TR. SIPEX SOT23-5 | SP6200EM5-L-2.5/TR..pdf |