창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRTA80030L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRTA80030(R)L | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 400A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 30V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 18 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRTA80030L | |
관련 링크 | MBRTA8, MBRTA80030L 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
MID200-12A4 | MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB | MID200-12A4.pdf | ||
7E03LG2R0N | 7E03LG2R0N SAGAMI SMD or Through Hole | 7E03LG2R0N.pdf | ||
TK11229BM | TK11229BM TOKO SMD or Through Hole | TK11229BM.pdf | ||
TC74AC14F(EL) | TC74AC14F(EL) TOSHIBA SOP5.2 | TC74AC14F(EL).pdf | ||
OP80GSZ | OP80GSZ AD SOP | OP80GSZ.pdf | ||
MT1724T-11VC-B | MT1724T-11VC-B Amhient N A | MT1724T-11VC-B.pdf | ||
51067-1300 | 51067-1300 MOLEX SMD or Through Hole | 51067-1300.pdf | ||
D65180GDE76 | D65180GDE76 NEC PQFP | D65180GDE76.pdf | ||
C1608C0G1E392JT000N | C1608C0G1E392JT000N TDK 80K | C1608C0G1E392JT000N.pdf | ||
NB12N00473KBB | NB12N00473KBB AVX SMD or Through Hole | NB12N00473KBB.pdf | ||
MIC2211GPYML | MIC2211GPYML MIC DFN10 | MIC2211GPYML.pdf | ||
MSM6500A-0-409CSP-TR | MSM6500A-0-409CSP-TR QUALCOMM BGA | MSM6500A-0-409CSP-TR.pdf |