창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRTA80030L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRTA80030(R)L | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 400A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 30V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 18 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRTA80030L | |
| 관련 링크 | MBRTA8, MBRTA80030L 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DSC557-0341FE1 | 100MHz HCSL, LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 60mA (Typ) Enable/Disable | DSC557-0341FE1.pdf | |
![]() | MS4800S-14-0560-10X-10R-RM2AP | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-14-0560-10X-10R-RM2AP.pdf | |
![]() | 35150 | 35150 AMP SMD or Through Hole | 35150.pdf | |
![]() | THP60E2A106MT002-T | THP60E2A106MT002-T CHEMI-CON SMD or Through Hole | THP60E2A106MT002-T.pdf | |
![]() | HD404729B1S | HD404729B1S HITACHI DIP64 | HD404729B1S.pdf | |
![]() | 2SC3734-TIB | 2SC3734-TIB NEC SMD | 2SC3734-TIB.pdf | |
![]() | RVG4F03A-103VM-TG(10K) | RVG4F03A-103VM-TG(10K) muRata 3 4 | RVG4F03A-103VM-TG(10K).pdf | |
![]() | VIA CyrixIII-500MHZ | VIA CyrixIII-500MHZ CYRIX CPU | VIA CyrixIII-500MHZ.pdf | |
![]() | 7920BC | 7920BC EPSON DIP-8 | 7920BC.pdf | |
![]() | MDS175-06-1 | MDS175-06-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | MDS175-06-1.pdf | |
![]() | 61268/ | 61268/ ST SOP8 | 61268/.pdf | |
![]() | M38503M4-721SP | M38503M4-721SP MIT DIP-42P | M38503M4-721SP.pdf |