창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRTA80020R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRTA80020 thru MBRTA80040R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 720mV @ 400A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 18 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRTA80020R | |
| 관련 링크 | MBRTA8, MBRTA80020R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | HCM4918432000AHJT | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM4918432000AHJT.pdf | |
|  | VS-VSKC71/12 | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A ADDAPAK | VS-VSKC71/12.pdf | |
|  | 74408943101 | 100µH Shielded Wirewound Inductor 520mA 850 mOhm Max Nonstandard | 74408943101.pdf | |
| .jpg) | AT0603DRE073K3L | RES SMD 3.3K OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE073K3L.pdf | |
|  | AME8500AEETAF4 TEL:82766440 | AME8500AEETAF4 TEL:82766440 AME SMD or Through Hole | AME8500AEETAF4 TEL:82766440.pdf | |
|  | ECEC1AA103BB | ECEC1AA103BB PANASONIC DIP | ECEC1AA103BB.pdf | |
|  | NT39106 | NT39106 Novatek COGCOB | NT39106.pdf | |
|  | HSEC8-125-01-SM-DV-A | HSEC8-125-01-SM-DV-A SAMTEC ORIGINAL | HSEC8-125-01-SM-DV-A.pdf | |
|  | 0491003.NAT1 | 0491003.NAT1 LITTELFUSE SMD or Through Hole | 0491003.NAT1.pdf | |
|  | HIS0191A | HIS0191A ORIGINAL 15SIP | HIS0191A.pdf | |
|  | IWS1248 | IWS1248 IPD SMD or Through Hole | IWS1248.pdf | |
|  | C0603C684K4PAC | C0603C684K4PAC TDK O2O1 | C0603C684K4PAC.pdf |