창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRTA800100R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRTA80045 thru MBRTA800100R | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 400A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 100V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 18 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRTA800100R | |
관련 링크 | MBRTA80, MBRTA800100R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ASPI-0503H-6R8M-T | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 2.2A 90 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0503H-6R8M-T.pdf | |
![]() | AKM5357ET | AKM5357ET AKM SMD or Through Hole | AKM5357ET.pdf | |
![]() | HYS72D256320HBR6C/HYB25D512400CF6 | HYS72D256320HBR6C/HYB25D512400CF6 QIM DIMM | HYS72D256320HBR6C/HYB25D512400CF6.pdf | |
![]() | 81C30G-Q SOT-23 T/ | 81C30G-Q SOT-23 T/ UTC SMD or Through Hole | 81C30G-Q SOT-23 T/.pdf | |
![]() | 25.163.0853.0 | 25.163.0853.0 WIELAND SMD or Through Hole | 25.163.0853.0.pdf | |
![]() | HIF3F-26PA-2.54DSA 71 | HIF3F-26PA-2.54DSA 71 HRS SMD or Through Hole | HIF3F-26PA-2.54DSA 71.pdf | |
![]() | HYMP512U64EP8-Y5 AB | HYMP512U64EP8-Y5 AB HYNIX SMD or Through Hole | HYMP512U64EP8-Y5 AB.pdf | |
![]() | 135D227X9075K2E3 | 135D227X9075K2E3 VISHAY 2012 | 135D227X9075K2E3.pdf | |
![]() | F711112GGP | F711112GGP ORIGINAL BGA | F711112GGP.pdf | |
![]() | HRU1K120D | HRU1K120D HARRIS SOP-8 | HRU1K120D.pdf | |
![]() | 41821H | 41821H IDTIntegratedDev SMD or Through Hole | 41821H.pdf | |
![]() | NSR2251 | NSR2251 NSR SOP16 | NSR2251.pdf |