창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRTA60060R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRTA60045 thru MBRTA600100R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 60V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 18 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRTA60060R | |
| 관련 링크 | MBRTA6, MBRTA60060R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SDR2207-820KL | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 2.3A 144 mOhm Max Nonstandard | SDR2207-820KL.pdf | |
![]() | UPD78P0308YGC | UPD78P0308YGC NEC SMD or Through Hole | UPD78P0308YGC.pdf | |
![]() | BUZ100S-4 | BUZ100S-4 SIEMENS SOP28 | BUZ100S-4.pdf | |
![]() | GR1A | GR1A EIC SMBJ | GR1A.pdf | |
![]() | AS7809ADTR-E1 | AS7809ADTR-E1 BCD! SMD or Through Hole | AS7809ADTR-E1.pdf | |
![]() | HS-5707 | HS-5707 PLATO SMD or Through Hole | HS-5707.pdf | |
![]() | 3.3NF-100V-5%-VFPBULK- | 3.3NF-100V-5%-VFPBULK- ORIGINAL SMD or Through Hole | 3.3NF-100V-5%-VFPBULK-.pdf | |
![]() | B65646A0630A027 | B65646A0630A027 EPCOS SMD or Through Hole | B65646A0630A027.pdf | |
![]() | CGB7001-SC-0G0T | CGB7001-SC-0G0T MIMIX SMD or Through Hole | CGB7001-SC-0G0T.pdf | |
![]() | SPPB640401 | SPPB640401 ALPS SMD or Through Hole | SPPB640401.pdf | |
![]() | HM5113165FLTD-6 | HM5113165FLTD-6 HITACHI TSOP50 | HM5113165FLTD-6.pdf |