창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRTA600200R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRTA600150 thru MBRTA600200R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 4mA @ 200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 18 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRTA600200R | |
| 관련 링크 | MBRTA60, MBRTA600200R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AC-23-33E-18.43200D | OSC XO 3.3V 18.432MHZ OE | SIT8008AC-23-33E-18.43200D.pdf | |
![]() | SIT3808AI-D-25SH | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 33mA Standby | SIT3808AI-D-25SH.pdf | |
![]() | Y607836K6670V0L | RES 36.667K OHM 0.3W 0.005% RAD | Y607836K6670V0L.pdf | |
![]() | GP1UM262RK0F | RECEIVER REMOTE CTRL TOP 36.7KHZ | GP1UM262RK0F.pdf | |
![]() | AMS22S5A1BHAFL104 | ROTARY NON-CONTACT ANALOG SENSOR | AMS22S5A1BHAFL104.pdf | |
![]() | P529H | P529H IR SOP | P529H.pdf | |
![]() | LT1764AEQ-2.5V | LT1764AEQ-2.5V LT SMD or Through Hole | LT1764AEQ-2.5V.pdf | |
![]() | 6TPA330M | 6TPA330M SANYO SMD or Through Hole | 6TPA330M.pdf | |
![]() | HCOCB222JDFN1 | HCOCB222JDFN1 SINCERA SMD | HCOCB222JDFN1.pdf | |
![]() | ES2DT/R | ES2DT/R JIT SMD or Through Hole | ES2DT/R.pdf | |
![]() | MAX213ECD | MAX213ECD MAXIM SMD or Through Hole | MAX213ECD.pdf | |
![]() | AB6Q-M2RC | AB6Q-M2RC ORIGINAL SMD or Through Hole | AB6Q-M2RC.pdf |