창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRTA600200 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRTA600150 thru MBRTA600200R | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 300A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 4mA @ 200V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 18 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRTA600200 | |
관련 링크 | MBRTA6, MBRTA600200 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | B82498F3121G1 | 120nH Unshielded Wirewound Inductor 440mA 310 mOhm Max 2-SMD | B82498F3121G1.pdf | |
![]() | TIL113S(TB)-V | Optoisolator Darlington with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | TIL113S(TB)-V.pdf | |
![]() | ESR10EZPJ514 | RES SMD 510K OHM 5% 0.4W 0805 | ESR10EZPJ514.pdf | |
![]() | EL4422CN | EL4422CN ORIGINAL DIP | EL4422CN .pdf | |
![]() | 15GN01M-TUN-TL | 15GN01M-TUN-TL SANYO SOT-70 | 15GN01M-TUN-TL.pdf | |
![]() | 93S06L2M8 | 93S06L2M8 FSC SMD or Through Hole | 93S06L2M8.pdf | |
![]() | ECEP1HP473HA | ECEP1HP473HA PANASONIC DIP | ECEP1HP473HA.pdf | |
![]() | ECJ1VC1H101J | ECJ1VC1H101J PANASONIC SMD or Through Hole | ECJ1VC1H101J.pdf | |
![]() | LT1013CD | LT1013CD TI/BB SOIC | LT1013CD.pdf | |
![]() | SSI75T980-CP | SSI75T980-CP ORIGINAL DIP-8 | SSI75T980-CP.pdf | |
![]() | UPC177G2(3) | UPC177G2(3) NEC SMD or Through Hole | UPC177G2(3).pdf |