창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRTA50030R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRTA50020 thru MBRTA50040R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 250A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 250A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 30V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 18 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRTA50030R | |
| 관련 링크 | MBRTA5, MBRTA50030R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 170M4833 | FUSE 200A 1000V 00TN/80 AR | 170M4833.pdf | |
![]() | ASTMUPCV-33-33.333MHZ-EY-E-T3 | 33.333MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCV-33-33.333MHZ-EY-E-T3.pdf | |
![]() | MCR10EZHF8203 | RES SMD 820K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF8203.pdf | |
![]() | C1210X223K102T | C1210X223K102T HEC SMD or Through Hole | C1210X223K102T.pdf | |
![]() | CC561K50VYPAB | CC561K50VYPAB ORIGINAL SMD or Through Hole | CC561K50VYPAB.pdf | |
![]() | SST28SF040A-70-4C-NH | SST28SF040A-70-4C-NH SST SMD or Through Hole | SST28SF040A-70-4C-NH.pdf | |
![]() | 0805 102K 100V-250V-500V | 0805 102K 100V-250V-500V YAGEO SMD or Through Hole | 0805 102K 100V-250V-500V.pdf | |
![]() | DM74S243 | DM74S243 NS DIP | DM74S243.pdf | |
![]() | SI7344DP-T1-GE3 | SI7344DP-T1-GE3 VISHAY QFN8 | SI7344DP-T1-GE3.pdf | |
![]() | 1812X103K501T | 1812X103K501T HEC 1812 | 1812X103K501T.pdf | |
![]() | TNY256P/PN | TNY256P/PN POWER DIP-8 | TNY256P/PN.pdf |