창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRTA500200R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRTA500150 thru MBRTA500200R | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 250A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 250A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 4mA @ 200V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 18 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRTA500200R | |
관련 링크 | MBRTA50, MBRTA500200R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F384X3ALR | 38.4MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384X3ALR.pdf | |
![]() | 4379R-181HS | 180nH Shielded Inductor 1A 40 mOhm Max 2-SMD | 4379R-181HS.pdf | |
![]() | CRCW12069K53FKEA | RES SMD 9.53K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12069K53FKEA.pdf | |
![]() | RG1608N-63R4-W-T1 | RES SMD 63.4OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-63R4-W-T1.pdf | |
![]() | 256A/AE | 256A/AE ORIGINAL SOP-8 | 256A/AE.pdf | |
![]() | NJM2872F27-TE2 | NJM2872F27-TE2 JRC SOT23-5 | NJM2872F27-TE2.pdf | |
![]() | BAT54NL | BAT54NL Fairchild SMD or Through Hole | BAT54NL.pdf | |
![]() | H3266.25 | H3266.25 LTF SMD or Through Hole | H3266.25.pdf | |
![]() | 1604S153 | 1604S153 PHI SOP | 1604S153.pdf | |
![]() | S3C44B0X01L-F0711A | S3C44B0X01L-F0711A ORIGINAL BGA | S3C44B0X01L-F0711A.pdf | |
![]() | BAV70TBT/R | BAV70TBT/R PANJIT SOT-523 | BAV70TBT/R.pdf |