창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRTA500150R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRTA500150 thru MBRTA500200R | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 250A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 250A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 4mA @ 150V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 18 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRTA500150R | |
관련 링크 | MBRTA50, MBRTA500150R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SC43B-470 | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 570mA 844 mOhm Max Nonstandard | SC43B-470.pdf | |
![]() | M37703M4B671SP | M37703M4B671SP MITSUBISHI DIP-64 | M37703M4B671SP.pdf | |
![]() | F9312DC | F9312DC ORIGINAL DIP | F9312DC.pdf | |
![]() | UF33C | UF33C AUK SMC | UF33C.pdf | |
![]() | MAX1980ETP | MAX1980ETP MAXIM SMD or Through Hole | MAX1980ETP.pdf | |
![]() | AZ810NZTR-E1 | AZ810NZTR-E1 BCD SOT-23 | AZ810NZTR-E1.pdf | |
![]() | MOC3062SR2V-M | MOC3062SR2V-M Fairchi SMD or Through Hole | MOC3062SR2V-M.pdf | |
![]() | RN5RL36AA-TR | RN5RL36AA-TR RICOH SMD or Through Hole | RN5RL36AA-TR.pdf | |
![]() | UC2039D | UC2039D UN QFP | UC2039D.pdf | |
![]() | MOC8100SVM | MOC8100SVM FAIRCHILD DIP-6 | MOC8100SVM.pdf | |
![]() | K4S561633LF-XG7.5 | K4S561633LF-XG7.5 SAMSUNG TSOP | K4S561633LF-XG7.5.pdf | |
![]() | R1210N582C-TR-F | R1210N582C-TR-F RICOH SOT-23-5 | R1210N582C-TR-F.pdf |