창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRT60060 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRT60045 ~ 600100R Three Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 300A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBRT60060GN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRT60060 | |
관련 링크 | MBRT6, MBRT60060 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
LQP03TN3N6B02D | 3.6nH Unshielded Thin Film Inductor 400mA 300 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TN3N6B02D.pdf | ||
SW-452TR | SW-452TR MACOM SMD or Through Hole | SW-452TR.pdf | ||
rh51k5-ba10 | rh51k5-ba10 vishay SMD or Through Hole | rh51k5-ba10.pdf | ||
MCBS373 | MCBS373 MOT SOP16 | MCBS373.pdf | ||
IC62C256-55UG | IC62C256-55UG ISSI SOP | IC62C256-55UG.pdf | ||
T355B106M006AT | T355B106M006AT KEMET DIP | T355B106M006AT.pdf | ||
XO-105BIC-20.000000MHz | XO-105BIC-20.000000MHz T DIP-4 | XO-105BIC-20.000000MHz.pdf | ||
Si5853DC-T1-E3 NOPB | Si5853DC-T1-E3 NOPB VISHAY ChipFET | Si5853DC-T1-E3 NOPB.pdf | ||
62032421-0-0 | 62032421-0-0 CARLINGTECHNOLOGIES SMD or Through Hole | 62032421-0-0.pdf | ||
AMM3400B022GQ | AMM3400B022GQ ORIGINAL SMD or Through Hole | AMM3400B022GQ.pdf | ||
MC9S12B128CFU 3L80R | MC9S12B128CFU 3L80R FREESCAL QFP | MC9S12B128CFU 3L80R.pdf |