창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRT60035RL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRT60035(R)L | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 300A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 35V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRT60035RL | |
관련 링크 | MBRT60, MBRT60035RL 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 445C3XA30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 10pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XA30M00000.pdf | |
![]() | S6D | DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 | S6D.pdf | |
![]() | Y001316R0000A9L | RES 16 OHM 2W 0.05% RADIAL | Y001316R0000A9L.pdf | |
![]() | MS4800B-40-0600-10X-10R | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800B-40-0600-10X-10R.pdf | |
![]() | TMS470R1VF288PZA | TMS470R1VF288PZA TI TQFP | TMS470R1VF288PZA.pdf | |
![]() | LQH32MN220J21L | LQH32MN220J21L MURATA SMD or Through Hole | LQH32MN220J21L.pdf | |
![]() | NFM41R01C220T1M00-54-T255 | NFM41R01C220T1M00-54-T255 MURATA SMD or Through Hole | NFM41R01C220T1M00-54-T255.pdf | |
![]() | LM4861M+ | LM4861M+ NSC SMD or Through Hole | LM4861M+.pdf | |
![]() | SW2D-8524 | SW2D-8524 ORIGINAL SMD or Through Hole | SW2D-8524.pdf | |
![]() | HD74LVCR2245AFP | HD74LVCR2245AFP HIT SOP | HD74LVCR2245AFP.pdf | |
![]() | ZRGS2010-00S | ZRGS2010-00S TDK SMD or Through Hole | ZRGS2010-00S.pdf | |
![]() | RT9161-15GV | RT9161-15GV RICHTEK SOT23-3 | RT9161-15GV.pdf |