창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRT600100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRT60045 ~ 600100R Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBRT600100GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRT600100 | |
| 관련 링크 | MBRT60, MBRT600100 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B32529C1563J289 | 0.056µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial | B32529C1563J289.pdf | |
![]() | RCL04062K55FKEA | RES SMD 2.55K OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL04062K55FKEA.pdf | |
![]() | EXB-38V273JV | RES ARRAY 4 RES 27K OHM 1206 | EXB-38V273JV.pdf | |
![]() | HMC1021LP4E | RF Detector IC General Purpose 0Hz ~ 3.9GHz -62dBm ~ 8dBm ±1dB 24-VFQFN Exposed Pad | HMC1021LP4E.pdf | |
![]() | A700V107K002AS | A700V107K002AS KEMET SMD | A700V107K002AS.pdf | |
![]() | 90130-1116 | 90130-1116 MOLEX SMD or Through Hole | 90130-1116.pdf | |
![]() | 0805F274M500NT | 0805F274M500NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805F274M500NT.pdf | |
![]() | 3015-RED | 3015-RED ORIGINAL SMD or Through Hole | 3015-RED.pdf | |
![]() | 92163L/NFT | 92163L/NFT QFP ST | 92163L/NFT.pdf | |
![]() | PNX85507EB/M109M1280 | PNX85507EB/M109M1280 NXP/TRIDENT PBGA | PNX85507EB/M109M1280.pdf | |
![]() | SN74AHC14PWR. | SN74AHC14PWR. TI TSSOP | SN74AHC14PWR..pdf | |
![]() | HZ18-2TA-E | HZ18-2TA-E RENESAS SMD or Through Hole | HZ18-2TA-E.pdf |