창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRT40030R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRT40020 thru MBRT40040R Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBRT40030RGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRT40030R | |
| 관련 링크 | MBRT40, MBRT40030R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LP061F23IDT | 6.144MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP061F23IDT.pdf | |
![]() | CDBA360-G | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC | CDBA360-G.pdf | |
![]() | 74F112DC | 74F112DC F/S CDIP | 74F112DC.pdf | |
![]() | DB2102(751980CIZ) | DB2102(751980CIZ) N/A BGA | DB2102(751980CIZ).pdf | |
![]() | MC74ACT08DTR2-ON | MC74ACT08DTR2-ON ORIGINAL SMD or Through Hole | MC74ACT08DTR2-ON.pdf | |
![]() | EP10K50EFC256-1 | EP10K50EFC256-1 ALTERA BGA | EP10K50EFC256-1.pdf | |
![]() | M27C256B-70CB | M27C256B-70CB STM SMD or Through Hole | M27C256B-70CB.pdf | |
![]() | RK10J12R0A0B | RK10J12R0A0B ALPS SMD or Through Hole | RK10J12R0A0B.pdf | |
![]() | SS1306N-330M | SS1306N-330M MEC SMD | SS1306N-330M.pdf | |
![]() | 74V1G125CTRSY2 | 74V1G125CTRSY2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 74V1G125CTRSY2.pdf | |
![]() | TLE7279-2EV50 | TLE7279-2EV50 Infineon SSOP14 | TLE7279-2EV50.pdf | |
![]() | SKT301-16C | SKT301-16C Semikron SMD or Through Hole | SKT301-16C.pdf |