창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRT400200 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRT400150 thru MBRT400200R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRT400200 | |
| 관련 링크 | MBRT40, MBRT400200 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D200FXXAJ | 20pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D200FXXAJ.pdf | |
![]() | SMBJ130A-TP | TVS DIODE 130VWM 209VC SMB | SMBJ130A-TP.pdf | |
![]() | CMF702M2600FHEA | RES 2.26M OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF702M2600FHEA.pdf | |
![]() | XB2B-WFUS-001 | RF TXRX MODULE WIFI U.FL ANT | XB2B-WFUS-001.pdf | |
![]() | P2V28S20BTP-7E | P2V28S20BTP-7E MIRA SMD or Through Hole | P2V28S20BTP-7E.pdf | |
![]() | MZ1000A | MZ1000A MIZAR DIP | MZ1000A.pdf | |
![]() | 57C256FB-70DI | 57C256FB-70DI WSI DIP | 57C256FB-70DI.pdf | |
![]() | 046274040000800/ | 046274040000800/ KYOCERA SMD or Through Hole | 046274040000800/.pdf | |
![]() | PVG3G104A01R00 4X4 100K | PVG3G104A01R00 4X4 100K MURATA SMD or Through Hole | PVG3G104A01R00 4X4 100K.pdf | |
![]() | CRG0603G300R | CRG0603G300R NEOHM SMD or Through Hole | CRG0603G300R.pdf | |
![]() | 69K2563 | 69K2563 ORIGINAL SMD or Through Hole | 69K2563.pdf |