창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRT400100R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRT40045 thru MBRT400100R Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 200A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 1242-1017 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRT400100R | |
| 관련 링크 | MBRT40, MBRT400100R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TMK316SD104JL-T | 0.10µF 25V 세라믹 커패시터 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | TMK316SD104JL-T.pdf | |
![]() | 1812SC471KAT3A\SB | 470pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812SC471KAT3A\SB.pdf | |
![]() | CX3225GB18432P0HPQZ1 | 18.432MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB18432P0HPQZ1.pdf | |
![]() | YC164-FR-0714K7L | RES ARRAY 4 RES 14.7K OHM 1206 | YC164-FR-0714K7L.pdf | |
![]() | QTLP601CIW_7902D | QTLP601CIW_7902D FAIRCHILD SMD or Through Hole | QTLP601CIW_7902D.pdf | |
![]() | G6Y-1-5V | G6Y-1-5V OMRON DIP | G6Y-1-5V.pdf | |
![]() | BUW4508DZ | BUW4508DZ PHILIPS TO-220F | BUW4508DZ.pdf | |
![]() | 6F30 | 6F30 IR SMD or Through Hole | 6F30.pdf | |
![]() | DS1856E-M50 | DS1856E-M50 MaximIntegratedProducts SMD or Through Hole | DS1856E-M50.pdf | |
![]() | T9AS5D12-12/3-1393210-3 | T9AS5D12-12/3-1393210-3 TE SMD or Through Hole | T9AS5D12-12/3-1393210-3.pdf | |
![]() | BLM21B221SB | BLM21B221SB MURATA SMD | BLM21B221SB.pdf | |
![]() | VEC2803-E | VEC2803-E SANYO VEC8 | VEC2803-E.pdf |