창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRT20080 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRT20045 thru MBRT200100R Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MBRT20080GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRT20080 | |
| 관련 링크 | MBRT2, MBRT20080 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FMB20P03G | FMB20P03G FUJI SOP-8 | FMB20P03G.pdf | |
![]() | HZ36-2TA-N-E-Q | HZ36-2TA-N-E-Q RENESAS SMD or Through Hole | HZ36-2TA-N-E-Q.pdf | |
![]() | ESE24C08SP | ESE24C08SP SIEMENS SMD8 | ESE24C08SP.pdf | |
![]() | NJM2801U1-3328 | NJM2801U1-3328 JRC SMD or Through Hole | NJM2801U1-3328.pdf | |
![]() | 191045-000 | 191045-000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 191045-000.pdf | |
![]() | BAS 21-03W E6327 | BAS 21-03W E6327 INFINEON PG-SOD323-2 | BAS 21-03W E6327.pdf | |
![]() | TIP61(A..C | TIP61(A..C ST TO-220 | TIP61(A..C.pdf | |
![]() | L1A9668 | L1A9668 ORIGINAL PLCC | L1A9668.pdf | |
![]() | TLE4998S4 | TLE4998S4 Infineon SMD or Through Hole | TLE4998S4.pdf | |
![]() | LS30106 | LS30106 LT DIP8 | LS30106.pdf | |
![]() | TC9163N/AN | TC9163N/AN TOSHIBA DIP | TC9163N/AN.pdf | |
![]() | BZX399C-12 | BZX399C-12 PHI SOD-323 | BZX399C-12.pdf |