창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRT20060R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRT20045 thru MBRT200100R Three Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 100A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBRT20060RGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRT20060R | |
관련 링크 | MBRT20, MBRT20060R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ1210A121KBRAT4X | 120pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A121KBRAT4X.pdf | |
![]() | IRF6665TRPBF | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET | IRF6665TRPBF.pdf | |
![]() | AS3911B-AQFT | RFID Reader IC 13.56MHz ISO 14443, NFC SPI 2.4 V ~ 5.5 V 32-VFQFN Exposed Pad | AS3911B-AQFT.pdf | |
![]() | LT3493EDDB | LT3493EDDB LINEAR DFN-6 | LT3493EDDB.pdf | |
![]() | NCP553SQ50T1 | NCP553SQ50T1 ON SOT343 | NCP553SQ50T1.pdf | |
![]() | 400V0.47 | 400V0.47 ORIGINAL SMD or Through Hole | 400V0.47.pdf | |
![]() | UDZS TE-17 30B | UDZS TE-17 30B ROHM SMD or Through Hole | UDZS TE-17 30B.pdf | |
![]() | DF04336M | DF04336M GI DIP-4 | DF04336M.pdf | |
![]() | AF72 | AF72 MOT CAN | AF72.pdf | |
![]() | PAS005BCC-483 | PAS005BCC-483 PIXART LCC | PAS005BCC-483.pdf | |
![]() | KS5321AN | KS5321AN SAMSUNG DIP8 | KS5321AN.pdf |