창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRF60080R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRF60045 thru MBRF600100R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 250A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 80V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | TO-244AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-244AB | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRF60080R | |
| 관련 링크 | MBRF60, MBRF60080R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D102MXAAR | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D102MXAAR.pdf | |
![]() | 1N5339BRLG | DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL | 1N5339BRLG.pdf | |
![]() | CZRW5250B-G | DIODE ZENER 20V 350MW SOD123 | CZRW5250B-G.pdf | |
![]() | AEDT-9810-J00 | ENCODER 3CH COMM HI TEMP 1024CPR | AEDT-9810-J00.pdf | |
![]() | MCR8DSNT4 | MCR8DSNT4 ON DPAK4LEADSingleG | MCR8DSNT4.pdf | |
![]() | MB8116400B-60PJ | MB8116400B-60PJ FUJI SMD or Through Hole | MB8116400B-60PJ.pdf | |
![]() | CE1E102MKHANG | CE1E102MKHANG SANYO SMD | CE1E102MKHANG.pdf | |
![]() | PKF4910APT | PKF4910APT ERICSSON SMD or Through Hole | PKF4910APT.pdf | |
![]() | 75463N | 75463N NSC DIP | 75463N.pdf | |
![]() | NP3100SCMCT3G | NP3100SCMCT3G ONSemiconductor SMB | NP3100SCMCT3G.pdf | |
![]() | 383L822M080N052 | 383L822M080N052 CDE DIP | 383L822M080N052.pdf | |
![]() | 2023-6122-10 | 2023-6122-10 M/A-COM SMD or Through Hole | 2023-6122-10.pdf |