창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRF20080R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRF20045 thru MBRF200100R | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 100A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 80V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | TO-244AB | |
공급 장치 패키지 | TO-244AB | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRF20080R | |
관련 링크 | MBRF20, MBRF20080R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008AI-13-25S-83.765880E | OSC XO 2.5V 83.76588MHZ ST | SIT8008AI-13-25S-83.765880E.pdf | |
![]() | PE-0805CD100KTT | 10.2nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 140 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | PE-0805CD100KTT.pdf | |
![]() | PPT2-0001GRW2VS | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT2-0001GRW2VS.pdf | |
![]() | PAL10L8MW/883B | PAL10L8MW/883B AMD Call | PAL10L8MW/883B.pdf | |
![]() | FAR-F6KB-2G1400-B4GC | FAR-F6KB-2G1400-B4GC FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-F6KB-2G1400-B4GC.pdf | |
![]() | RM73B2ETE100J | RM73B2ETE100J KOA SMD | RM73B2ETE100J.pdf | |
![]() | MX8330MC | MX8330MC MAX SOP8 | MX8330MC.pdf | |
![]() | AS4C1M16E5-50JI | AS4C1M16E5-50JI ALI SOJ42 | AS4C1M16E5-50JI.pdf | |
![]() | MCP1407T-E/SN | MCP1407T-E/SN MICROCHIP SOP8 | MCP1407T-E/SN.pdf | |
![]() | 160V2.2 | 160V2.2 X SMD or Through Hole | 160V2.2.pdf | |
![]() | CFM2001S | CFM2001S Cincon SMD or Through Hole | CFM2001S.pdf | |
![]() | M29F200BB 45N1 | M29F200BB 45N1 STM SMD or Through Hole | M29F200BB 45N1.pdf |