창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRF12045 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRF12045 thru MBRF120100R | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 60A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 60A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 45V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | TO-244AB | |
공급 장치 패키지 | TO-244AB | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRF12045 | |
관련 링크 | MBRF1, MBRF12045 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
406C35B38M88000 | 38.88MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406C35B38M88000.pdf | ||
SIT8008AI-22-33E-14.745600D | OSC XO 3.3V 14.7456MHZ OE | SIT8008AI-22-33E-14.745600D.pdf | ||
SD25-681-R | 680µH Shielded Wirewound Inductor 262mA 3.88 Ohm Nonstandard | SD25-681-R.pdf | ||
4232R-181H | 180nH Unshielded Wirewound Inductor 446mA 610 mOhm Max 2-SMD | 4232R-181H.pdf | ||
MTC300 | MTC300 MTC SMD or Through Hole | MTC300.pdf | ||
P87C51FC-1 | P87C51FC-1 INTEL DIP40 | P87C51FC-1.pdf | ||
BF908WR.115 | BF908WR.115 NXP SMD or Through Hole | BF908WR.115.pdf | ||
TNY280GN-NL | TNY280GN-NL TI SOP8 | TNY280GN-NL.pdf | ||
87CS71F-6616 | 87CS71F-6616 TOSHIBA QFP-80 | 87CS71F-6616.pdf | ||
6592AFN | 6592AFN TOSHIBA SOP | 6592AFN.pdf | ||
MIC336 | MIC336 ORIGINAL SMD or Through Hole | MIC336.pdf | ||
P/N591 | P/N591 KEYSTONE SMD or Through Hole | P/N591.pdf |