ON Semiconductor MBRD835LT4G
- 제조업체 부품 번호
- MBRD835LT4G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
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MBRD835LT4G 가격 및 조달
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18550 조각
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창고: HONGKONG
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 259.16267
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MBRD835LT4G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRD835LT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRD835L | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 13/Mar/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 510mV @ 8A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1.4mA @ 35V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | MBRD835LT4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRD835LT4G | |
| 관련 링크 | MBRD83, MBRD835LT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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