창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRD660CTT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRD620CTG, NRVBD640CTG Series | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 13/Mar/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 60V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | MBRD660CTT4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRD660CTT4G | |
| 관련 링크 | MBRD660, MBRD660CTT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM32ER6YA106KA12K | 10µF 35V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GRM32ER6YA106KA12K.pdf | |
![]() | 947D771K122DLRSN | 770µF Film Capacitor 230V 1200V (1.2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 4.567" Dia (116.00mm) | 947D771K122DLRSN.pdf | |
![]() | 445I32H24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 32pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32H24M57600.pdf | |
![]() | CPR07R3000KE10 | RES 0.3 OHM 7W 10% RADIAL | CPR07R3000KE10.pdf | |
![]() | EPF7128SQC100-10 | EPF7128SQC100-10 ALTERA QFP | EPF7128SQC100-10.pdf | |
![]() | ISL9003AIEBZ-T/1.5 | ISL9003AIEBZ-T/1.5 intersil SC70-5 | ISL9003AIEBZ-T/1.5.pdf | |
![]() | X7N02Z | X7N02Z MOT SOP- 8 | X7N02Z.pdf | |
![]() | MSP3410D-C5 | MSP3410D-C5 MICRONAS QFP80 | MSP3410D-C5.pdf | |
![]() | SE1G | SE1G EIC SMBJ | SE1G.pdf | |
![]() | SIG22-12 | SIG22-12 FUJI SMD or Through Hole | SIG22-12.pdf | |
![]() | B7B-EH(LF)(SN) | B7B-EH(LF)(SN) JAPANSOLDERLESSTERMINAL SMD or Through Hole | B7B-EH(LF)(SN).pdf |