창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRD660CTT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRD620CTG, NRVBD640CTG Series | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 13/Mar/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | SWITCHMODE™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 3A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 60V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | MBRD660CTT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRD660CTT4G | |
관련 링크 | MBRD660, MBRD660CTT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
UPW1E222MHD6 | 2200µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | UPW1E222MHD6.pdf | ||
CC0402ZRY5V7BB333 | 0.033µF 16V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CC0402ZRY5V7BB333.pdf | ||
FX-412 | SENSOR OPTIC NPN 12-24VDC | FX-412.pdf | ||
CDR01BP105BJSM | CDR01BP105BJSM AVX SMD | CDR01BP105BJSM.pdf | ||
NX2114CS | NX2114CS NEXSEM SOIC-8 | NX2114CS.pdf | ||
4833260 | 4833260 CRYSTAL TO220-7 | 4833260.pdf | ||
MCP2140-I/SS | MCP2140-I/SS MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP2140-I/SS.pdf | ||
SC14408C80VV | SC14408C80VV NS QFP-80 | SC14408C80VV.pdf | ||
XSN0903035PWR | XSN0903035PWR TI TSSOP | XSN0903035PWR.pdf | ||
1AB127660002 | 1AB127660002 COILCRAFT SMD or Through Hole | 1AB127660002.pdf | ||
KCN-4BR-C | KCN-4BR-C KOYO SMD or Through Hole | KCN-4BR-C.pdf | ||
BFT47 | BFT47 PHI CAN3 | BFT47.pdf |