창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRD640CTG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRD620CTG, NRVBD640CTG Series | |
| 카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 40V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | MBRD640CTG-ND MBRD640CTGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRD640CTG | |
| 관련 링크 | MBRD64, MBRD640CTG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1N5987D | DIODE ZENER 3V 500MW DO35 | 1N5987D.pdf | |
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![]() | WSLP0603R0380FEB | RES SMD 0.038 OHM 1% 0.4W 0603 | WSLP0603R0380FEB.pdf | |
![]() | RW3R5EA1R00JET | RES SMD 1 OHM 5% 3.5W J LEAD | RW3R5EA1R00JET.pdf | |
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![]() | LT3847CN | LT3847CN LT DIP | LT3847CN.pdf | |
![]() | TCM809TVNB713G | TCM809TVNB713G Microchip SOT-23 | TCM809TVNB713G.pdf | |
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![]() | BA3203 | BA3203 ROHM DIP16 | BA3203.pdf | |
![]() | MOC212VM | MOC212VM FAIRCHILD SOP-8 | MOC212VM.pdf | |
![]() | HZU5.6B3TRF(5V6) | HZU5.6B3TRF(5V6) RENESAS SMD or Through Hole | HZU5.6B3TRF(5V6).pdf | |
![]() | 2-1871181-3 | 2-1871181-3 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 2-1871181-3.pdf |