창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRD620CTT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRD620CTG, NRVBD640CTG Series | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 13/Mar/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | SWITCHMODE™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 3A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 20V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | MBRD620CTT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MBRD620CTT4G | |
관련 링크 | MBRD620, MBRD620CTT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RLB0812-271KL | 270µH Unshielded Wirewound Inductor 220mA 1.4 Ohm Max Radial | RLB0812-271KL.pdf | |
![]() | CMF60500R00BEEK | RES 500 OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF60500R00BEEK.pdf | |
![]() | S3B-11 | S3B-11 VISHAY DO-214AB | S3B-11.pdf | |
![]() | XC3S50-PQ208 | XC3S50-PQ208 XILINX QFP | XC3S50-PQ208.pdf | |
![]() | DTA143TUA T106 | DTA143TUA T106 ROHM SMD or Through Hole | DTA143TUA T106.pdf | |
![]() | AD9202JRSZ-REEL | AD9202JRSZ-REEL AD SSOP | AD9202JRSZ-REEL.pdf | |
![]() | HY5PU283222A | HY5PU283222A HY BGA | HY5PU283222A.pdf | |
![]() | U05NU44 TE12R | U05NU44 TE12R TOSHIBA SOD-106 | U05NU44 TE12R.pdf | |
![]() | VR37000002203JR500 | VR37000002203JR500 VISHAY DIP | VR37000002203JR500.pdf | |
![]() | HYB250236800BT-7 | HYB250236800BT-7 INFINEON SOIC | HYB250236800BT-7.pdf | |
![]() | T1222C | T1222C TI SOP8 | T1222C.pdf | |
![]() | BLC6G22LS-75,112 | BLC6G22LS-75,112 NXP SMD or Through Hole | BLC6G22LS-75,112.pdf |