창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRB30H35CTHE3/81 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR(F,B)30H35CT - 30H60CT Packaging Information | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 15A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 620mV @ 15A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 80µA @ 35V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRB30H35CTHE3/81 | |
| 관련 링크 | MBRB30H35C, MBRB30H35CTHE3/81 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | VJ1825A182JBEAT4X | 1800pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A182JBEAT4X.pdf | |
|  | TA-29.4912MBE-T | 29.4912MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TA-29.4912MBE-T.pdf | |
|  | RCP2512W82R0JEC | RES SMD 82 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W82R0JEC.pdf | |
|  | CP000515R00KB14 | RES 15 OHM 5W 10% AXIAL | CP000515R00KB14.pdf | |
|  | 7909AS-06-2001G | 7909AS-06-2001G IRC LCC20 | 7909AS-06-2001G.pdf | |
|  | NEC9701 | NEC9701 NEC DIPSOP | NEC9701.pdf | |
|  | PSR20C40CT 802 | PSR20C40CT 802 PHOTRON DIP3P | PSR20C40CT 802.pdf | |
|  | XCV10004FG256CES | XCV10004FG256CES XIL SMD or Through Hole | XCV10004FG256CES.pdf | |
|  | OP213GPZ | OP213GPZ PMI DIP-8 | OP213GPZ.pdf | |
|  | HT9205B | HT9205B HT DIP | HT9205B.pdf | |
|  | HEF40106BT | HEF40106BT NXP SOP | HEF40106BT .pdf | |
|  | SRF1070 | SRF1070 SGS TO-220 | SRF1070.pdf |