창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRB30H100CTHE3/81 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR(F,B)30H35CT - 30H60CT Packaging Information | |
| 비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 15A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 820mV @ 15A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 100V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRB30H100CTHE3/81 | |
| 관련 링크 | MBRB30H100, MBRB30H100CTHE3/81 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CRG0201F590K | RES SMD 590K OHM 1% 1/20W 0201 | CRG0201F590K.pdf | |
![]() | PGM2WSJB-3R3 | RES 3.3 OHM 2W 5% RADIAL | PGM2WSJB-3R3.pdf | |
![]() | CAT811TTBI-GT | CAT811TTBI-GT CATALYST SOT143 | CAT811TTBI-GT.pdf | |
![]() | 043641WLAD | 043641WLAD IBM BGA | 043641WLAD.pdf | |
![]() | CD4712 | CD4712 MICROSEMI SMD | CD4712.pdf | |
![]() | ME7144TG | ME7144TG ME SOT23-3 | ME7144TG.pdf | |
![]() | LM4960 | LM4960 ST ZIP | LM4960.pdf | |
![]() | CF022D0104KBA | CF022D0104KBA AVX SMD | CF022D0104KBA.pdf | |
![]() | 899-3-R12K | 899-3-R12K BI DIP14 | 899-3-R12K.pdf | |
![]() | 640417-1 | 640417-1 TYC SMD or Through Hole | 640417-1.pdf | |
![]() | KS58500E | KS58500E SAMSUNG DIP22 | KS58500E.pdf | |
![]() | MC74VHC1G08DTT3 TEL:82766440 | MC74VHC1G08DTT3 TEL:82766440 LRC SC-88ASOT353 | MC74VHC1G08DTT3 TEL:82766440.pdf |