창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRB20200CTG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRB20200CT | |
| 카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 10A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | MBRB20200CTGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRB20200CTG | |
| 관련 링크 | MBRB202, MBRB20200CTG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SM54LS02J | SM54LS02J MOTOROLA DIP | SM54LS02J.pdf | |
![]() | 1N2S | 1N2S RUTILCON HH0603 | 1N2S.pdf | |
![]() | 10ETF06STRLPBF | 10ETF06STRLPBF Vishay SMD or Through Hole | 10ETF06STRLPBF.pdf | |
![]() | MC1604BSYLN | MC1604BSYLN NULL na | MC1604BSYLN.pdf | |
![]() | MAX764CPE | MAX764CPE MAX SOP | MAX764CPE.pdf | |
![]() | DM54L95W | DM54L95W NS SOP14 | DM54L95W.pdf | |
![]() | BL1608-10K2450T/LF | BL1608-10K2450T/LF ORIGINAL SMD or Through Hole | BL1608-10K2450T/LF.pdf | |
![]() | CM106 | CM106 CM SMD or Through Hole | CM106.pdf | |
![]() | GF06UTB105M | GF06UTB105M TOCOS SMD or Through Hole | GF06UTB105M.pdf | |
![]() | B82422H1104K1299982 | B82422H1104K1299982 EPCOS SMD or Through Hole | B82422H1104K1299982.pdf | |
![]() | TMS370C642N | TMS370C642N TI SMD or Through Hole | TMS370C642N.pdf | |
![]() | NDR227M010R8 | NDR227M010R8 NEC D | NDR227M010R8.pdf |