창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MBRAF3200T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRAF3200, NRVBAF3200 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 200V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-221AC, SMA 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | SMA-FL | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | MBRAF3200T3G-ND MBRAF3200T3GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MBRAF3200T3G | |
| 관련 링크 | MBRAF32, MBRAF3200T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D5R1DLCAJ | 5.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D5R1DLCAJ.pdf | |
![]() | B82721J2122N20 | 6.8mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.2A DCR 280 mOhm (Typ) | B82721J2122N20.pdf | |
![]() | MB87M3500 | MB87M3500 FUJITSU BGA | MB87M3500.pdf | |
![]() | LTR-311 | LTR-311 LITEON ROHS | LTR-311.pdf | |
![]() | S-80732AN | S-80732AN SEIKO SOT89 | S-80732AN.pdf | |
![]() | 4730211116440 | 4730211116440 kontec-comatel SMD or Through Hole | 4730211116440.pdf | |
![]() | MC06 | MC06 ORIGINAL SMD or Through Hole | MC06.pdf | |
![]() | RM10F2740CT | RM10F2740CT CAL-CHIP ORIGINAL | RM10F2740CT.pdf | |
![]() | 3043B-20 | 3043B-20 NARDA SMD or Through Hole | 3043B-20.pdf | |
![]() | NTB75N03L09T4G | NTB75N03L09T4G ONS D2PAK | NTB75N03L09T4G .pdf | |
![]() | S-8241ABEPN-KBE | S-8241ABEPN-KBE SEIKO SOT-353 | S-8241ABEPN-KBE.pdf |